采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422CPA
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
包装规格(MPQ)：60psc
规格型号(MPN)：TC4422CPA
电源电压：4.5V~18V
驱动配置：低端
峰值灌电流：9A
工作温度：0℃~150℃
包装方式：管件
驱动通道数：1
下降时间：60ns
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
上升时间：60ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
包装规格(MPQ)：60psc
规格型号(MPN)：TC4422CPA
电源电压：4.5V~18V
驱动配置：低端
峰值灌电流：9A
工作温度：0℃~150℃
包装方式：管件
驱动通道数：1
下降时间：60ns
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
上升时间：60ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
包装规格(MPQ)：60psc
规格型号(MPN)：TC4422CPA
电源电压：4.5V~18V
驱动配置：低端
峰值灌电流：9A
工作温度：0℃~150℃
包装方式：管件
驱动通道数：1
下降时间：60ns
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
上升时间：60ns
包装清单：商品主体 * 1
库存：
