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销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0216WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4452VM
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4452VM-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0216WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2310G-TR
上升时间：10ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0215WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0215WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2310G-TR
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4452VM
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：12A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：12A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0216WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2310G-TR
上升时间：10ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0215WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0215WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2310G-TR
上升时间：10ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0216WT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0216WT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2310G-TR
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0215WT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2310G-TR
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0216WT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0216WT-7
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0211CWT-7
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
