销售单位：个

规格型号(MPN)：L6387ED013TR

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-45℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：17V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

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驱动通道数：2

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：17V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：L6387ED013TR

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：17V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

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驱动通道数：2

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：17V

峰值灌电流：400mA

驱动配置：半桥

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包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：L6387ED013TR

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驱动通道数：2

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

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峰值拉电流：650mA

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

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