销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864STRPBF

上升时间：22ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2101SPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21064PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112SPBF

上升时间：80ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186STRPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF

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ECCN：EAR99

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包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186SPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186SPBF

上升时间：22ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186SPBF

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186SPBF

上升时间：22ns

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21064STRPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

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包装方式：卷带（TR）

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生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864PBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21064STRPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2186STRPBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011STRPBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2101STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

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峰值拉电流：600mA

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规格型号(MPN)：IRS21864PBF

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装方式：管件

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生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21864PBF

上升时间：22ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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峰值灌电流：4A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2101STRPBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：高压侧或低压侧

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011STRPBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011STRPBF

上升时间：35ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2106STRPBF

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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ECCN：EAR99

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负载类型：N沟道MOSFET

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规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2106STRPBF

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

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包装清单：商品主体 * 1