采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：300mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RICHTEK
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
峰值灌电流：300mA
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
ECCN：EAR99
下降时间：35ns
包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
上升时间：70ns
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RICHTEK
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：RT7020GS
峰值灌电流：300mA
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
ECCN：EAR99
下降时间：35ns
包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
上升时间：70ns
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDQ1
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5111DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED21844S06JXUMA1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2003S8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6399DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5106BDR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712DR
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5304DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2103S06FXUMA1
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
电源电压：10V~20V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：1950}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED21834S06JXUMA1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2182S06FXUMA1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2ED2184S06FXUMA1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712D
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
