销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2117STRPBF
上升时间:75ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN73711MX
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7171MX-F085
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2118PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7385MX
上升时间:50ns
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2118STRPBF
上升时间:75ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2117PBF
上升时间:75ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7371MX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2117PBF
上升时间:75ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DGD2117S8-13
上升时间:75ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"17+":141,"21+":1800,"22+":7544,"24+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2117STRPBF
上升时间:75ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7385MX
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2118PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7371MX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":3072,"23+":1129}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS2117STR
上升时间:75ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:600mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:290mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2118SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7081MX-GF085
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: