包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2130JTRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2112STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"18+":4,"23+":765}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2132SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2112SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2132SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"18+":4532}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2130JTRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2118PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2112STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2132JTRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2130SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"17+":141,"21+":1800,"22+":7544,"24+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":1207}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2132STRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2111PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"22+":1721}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2130SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2111STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2118PBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
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驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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生产批次:{"20+":315,"22+":3119,"9999":27}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2112SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2130JTRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117STRPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2130JTRPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2117SPBF
上升时间:80ns
驱动通道数:1
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"20+":315,"22+":3119,"9999":27}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2112SPBF
上升时间:80ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2130PBF
上升时间:80ns
驱动通道数:6
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:500mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:250mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: