生产批次：2221

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2183SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7391MX

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：5613，"20+"：2815}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21834PBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7392MX

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21844PBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2183SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2181SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2184STRPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2183STRPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2181STRPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2184PBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：19650，"9999"：11}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21844SPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21834STRPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：5535，"19+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2181PBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7392N

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2184STRPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73933MX

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2181STRPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN73901MX

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：22500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21814STRPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2184MS8-13

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：55psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21844SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21844STRPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2181SPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2184SPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2181MS8-13

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2184STRPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2183STRPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2184SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1