采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7388MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73893MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7389MX1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7888MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73892MX
上升时间：50ns
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7389MX1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73895MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7388MX
上升时间：50ns
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：26575，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7388MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7388MX
上升时间：50ns
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73892MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7389MX1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73895MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：518，"22+"：369，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7389MX1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：FAN7388MX
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7888MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7888MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7888MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73895MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73895MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73893MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7388MX
上升时间：50ns
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73895MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7389MX1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7389MX1
上升时间：50ns
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET；IGBT
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：650mA
驱动配置：半桥
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7389MX1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：4332，"22+"：20000，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73893MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73893MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7388MX
上升时间：50ns
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73893MX
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
