采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2336DSTRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136STRPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：5，"19+"：55，"23+"：12241}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRS2336STR
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2336DSTRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：17500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136JTRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2334STRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136JTRPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"17+"：483，"22+"：2964，"9999"：166，"MI+"：494}
包装规格(MPQ)：13psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136PBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"17+"：780，"23+"：575}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"15+"：297，"17+"：864}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136JPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：17961}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21368STRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"17+"：483，"22+"：2964，"9999"：166，"MI+"：494}
包装规格(MPQ)：13psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136PBF
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ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2334STRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：24598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS26302DJPBF
上升时间：125ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：24598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS26302DJPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136SPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136STRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2334STRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136STRPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：17500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136JTRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：24598}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS26302DJPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136STRPBF
上升时间：125ns
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2336DSTRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2136STRPBF
上升时间：125ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
