生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1