品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":580,"23+":42000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":580,"23+":42000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":580,"23+":42000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
上升时间:22ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
峰值灌电流:4A
下降时间:18ns
上升时间:22ns
工作温度:-40℃~150℃
电源电压:10V~20V
ECCN:EAR99
峰值拉电流:4A
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
驱动通道数:2
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS21867STRPBF
峰值灌电流:4A
下降时间:18ns
上升时间:22ns
工作温度:-40℃~150℃
电源电压:10V~20V
峰值拉电流:4A
包装方式:卷带(TR)
驱动配置:半桥
驱动通道数:2
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: