包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

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规格型号(MPN)：L6491D

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

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规格型号(MPN)：L6491D

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

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规格型号(MPN)：L6491D

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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峰值拉电流：4A

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峰值拉电流：4A

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峰值灌电流：4A

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