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品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181PG
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：53448，"MI+"：1907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
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库存：
生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181PG
上升时间：40ns
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驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181PG
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
驱动通道数：2
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负载类型：N沟道MOSFET
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
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峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181PG
上升时间：40ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
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峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21814MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
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峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21814MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21814MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181PG
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：53448，"MI+"：1907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21844MTRPBF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：53448，"MI+"：1907}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5181DR2G
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.2A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
