生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1