采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2101SPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR25606STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2104PBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
生产批次：{"04+"：500，"10+"：2613，"22+"：2335}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21094STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2109STRPBF
上升时间：150ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2106STRPBF
上升时间：150ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
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库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2109SPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21094STRPBF
上升时间：150ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR25602STRPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2104STRPBF
上升时间：100ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：484，"20+"：6}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2108PBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2106STRPBF
上升时间：150ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21084STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2109PBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
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下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
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库存：
生产批次：{"20+"：1100，"9999"：20}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21064PBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21094STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2106STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2104STRPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2109STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2109STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2106STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2106STRPBF
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驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
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峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2104STRPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
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峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：12691，"18+"：6000，"19+"：13864}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2102PBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21064STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR25604STRPBF
上升时间：150ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2102SPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2308STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2104STRPBF
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2103PBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：360mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：210mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
