销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109SPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：484，"20+"：6}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2108PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：1100，"9999"：20}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21064PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136SPBF

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：12691，"18+"：6000，"19+"：13864}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102SPBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109SPBF

上升时间：150ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：280}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：675，"18+"：3481，"20+"：3000，"21+"：7500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21094PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136SPBF

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104SPBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2106SPBF

上升时间：150ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：570}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2308SPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：483，"22+"：2964，"9999"：166，"MI+"：494}

包装规格(MPQ)：13psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136PBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：694，"22+"：121431}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109PBF

上升时间：150ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102SPBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：12178}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：12178}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：675，"18+"：3481，"20+"：3000，"21+"：7500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21094PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1