采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5104DR2G
上升时间：85ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5111DR2G
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
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生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
上升时间：80ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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销售单位：个
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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销售单位：个
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峰值拉电流：500mA
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规格型号(MPN)：NCP5304DR2G
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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销售单位：个
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
上升时间：85ns
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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驱动配置：半桥
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规格型号(MPN)：NCP5304DR2G
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5106ADR2G
上升时间：85ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5304DR2G
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驱动配置：半桥
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5106BDR2G
上升时间：85ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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驱动配置：半桥
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包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5304DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5104DR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1207}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104DR2G
上升时间：85ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
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包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"15+"：14900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104PG
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：1721}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"23+"：2412}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5106ADR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5109ADR2G
上升时间：85ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5109ADR2G
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
