包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

输出隔离：隔离

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

拓扑结构：反激，升压

开关频率：1MHz

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

最大占空比：93%

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

输出隔离：隔离

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

拓扑结构：反激，升压

开关频率：1MHz

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

最大占空比：93%

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2304PBF

上升时间：70ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：141，"21+"：1800，"22+"：7544，"24+"：2000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：14900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6494LD

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"9999"：1750}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2304PBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1