包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2304PBF

上升时间：70ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：14900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6494LD

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：400，"9999"：1750}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2304PBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：14900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"05+"：378，"06+"：830，"07+"：31742，"09+"：2350，"10+"：23700，"14+"：219，"16+"：3650，"18+"：5855，"MI+"：5515}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5181PG

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.2A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：3302，"9999"：342}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5304PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：10038，"24+"：8350}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2184PBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：850，"15+"：900，"17+"：5823，"18+"：8800，"19+"：1400}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2101PBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：1039，"18+"：8900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1