采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491D
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
生产批次：{"15+"：14900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104PG
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
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下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491D
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
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包装方式：管件
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104PG
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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生产批次：{"07+"：3302，"9999"：342}
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
上升时间：75ns
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491D
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"07+"：1977，"08+"：2250，"11+"：2884}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5106APG
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104PG
上升时间：85ns
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分类：门极驱动器
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104PG
上升时间：85ns
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品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
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峰值拉电流：2.5A
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品牌：ST
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
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品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
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峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
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峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491D
上升时间：15ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491D
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491D
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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包装方式：管件
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库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：14900}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5104PG
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491D
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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生产批次：{"07+"：3302，"9999"：342}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5304PG
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"07+"：1977，"08+"：2250，"11+"：2884}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP5106APG
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6393D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6494LD
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
