采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011PBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710D
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：5，"23+"：8640}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：5，"23+"：8640}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：5，"23+"：8640}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011SPBF
上升时间：35ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011PBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2011STRPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27710DR
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：500mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011STRPBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
