包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

输出隔离：隔离

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

拓扑结构：反激，升压

开关频率：1MHz

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

最大占空比：93%

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

输出隔离：隔离

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

拓扑结构：反激，升压

开关频率：1MHz

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

最大占空比：93%

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6399DTR

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6498DTR

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6395D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6498LD

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6395DTR

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6498LD

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6395DTR

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6494LD

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6395D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6393D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6491D

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6398D

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6498DTR

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6498DTR

上升时间：25ns

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6398DTR

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：L6395DTR

上升时间：75ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：430mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1