品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301STRPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300NPWR
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300DPWRQ1
上升时间:24ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS2301STR
上升时间:130ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2301STRPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS2301STR
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"10+":2915}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301SPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IX4340NE
上升时间:7ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8770RGER
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:5V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2302STRPBF
上升时间:130ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300DPWRQ1
上升时间:24ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300DRGER
上升时间:12ns
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS2301STR
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300DRGER
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300NIPWR
上升时间:12ns
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300NPWR
上升时间:12ns
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"10+":2915}
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301SPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2301STRPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IX4340N
上升时间:7ns,7ns
驱动通道数:独立式
工作温度:-55°C~150°C
负载类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:5A,5A
是否隔离:CMOS/TTL
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8770RGER
ECCN:EAR99
工作温度:-40℃~+150℃
负载类型:MOSFET
电源电压:5V~20V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300NIPWR
上升时间:12ns
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRS2301STR
上升时间:130ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300DPWR
上升时间:12ns
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301STRPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):DRV8300DIPWR
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:3
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:750mA
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IX4340N
上升时间:7ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2302STRPBF
上升时间:130ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301PBF
上升时间:130ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"23+":7600}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2301SPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS2301SPBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: