品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301PBF
上升时间:130ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"17+":4550,"18+":2900,"20+":2838,"9999":2113}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301PBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"17+":4550,"18+":2900,"20+":2838,"9999":2113}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301PBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"17+":4550,"18+":2900,"20+":2838,"9999":2113}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301PBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"17+":4550,"18+":2900,"20+":2838,"9999":2113}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301PBF
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ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
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包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2301PBF
上升时间:130ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:350mA
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:200mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
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行业应用:其他
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规格型号(MPN):IR2301PBF
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包装方式:管件
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电源电压:5V~20V
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值灌电流:200mA
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包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IR2301PBF
下降时间:50ns
峰值拉电流:350mA
驱动配置:高压侧或低压侧
上升时间:130ns
包装方式:管件
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
电源电压:5V~20V
驱动通道数:2
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值灌电流:200mA
包装清单:商品主体 * 1
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