采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-40℃~110℃
包装方式：卷带（TR）
电源电压：10V~18V
类型：无刷DC（BLDC）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-40℃~110℃
包装方式：卷带（TR）
电源电压：10V~18V
类型：无刷DC（BLDC）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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工作温度：-40℃~110℃
包装方式：卷带（TR）
电源电压：10V~18V
类型：无刷DC（BLDC）
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-40℃~110℃
包装方式：卷带（TR）
电源电压：10V~18V
类型：无刷DC（BLDC）
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-40℃~110℃
包装方式：卷带（TR）
电源电压：10V~18V
类型：无刷DC（BLDC）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
工作温度：-40℃~+110℃
包装方式：Reel
输出电流：15mA
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
包装方式：Reel
工作温度：-40℃~+110℃
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
输出电流：15mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2103F-E2
上升时间：200ns
驱动通道数：2
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2103F-E2
上升时间：200ns
驱动通道数：2
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
销售单位：个
电源电压：10V~18V
工作温度：-40℃~110℃
包装方式：卷带（TR）
类型：无刷DC（BLDC）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：电机驱动芯片
行业应用：其他
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
包装方式：Reel
工作温度：-40℃~+110℃
电源电压：10V~18V
类型：3 Phase
输出电流：15mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
