采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2101MS8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD1504S8-13
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0579UFN-7
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2003S8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2104MS8-13
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2304S8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2104MS8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2104MS8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05473FN-7
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：0.3V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2181MS8-13
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05473FNQ-7
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.7V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD1504S8-13
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD1504S8-13
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2181S8-13
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0590AFU-7
上升时间：27ns
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2104MS8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2181S8-13
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05463FN-7
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：4.5V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0507AFN-7
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD05473FN-7
上升时间：16ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：0.3V~60V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2003S8-13
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD21904MS14-13
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2181MS8-13
上升时间：40ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0503FN-7
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AFN-7
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
