采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3104N8TC
上升时间：480ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7A
电源电压：5V~25V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3105N8TC
上升时间：77ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~25V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0503FN-7
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0503FN-7
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0503FN-7
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0504FN-7
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD1503S8-13
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3104N8TC
上升时间：480ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7A
电源电压：5V~25V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD2005S8-13
上升时间：100ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3105N8TC
上升时间：77ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~25V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3105N8TC
上升时间：77ns
驱动通道数：1
下降时间：26ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~25V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3104N8TC
上升时间：480ns
驱动通道数：1
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7A
电源电压：5V~25V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DGD0506AM10-13
上升时间：17ns
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3104N8TC
上升时间：480ns
驱动通道数：1
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7A
电源电压：5V~25V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
