品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2230S12TXUMA1
上升时间:35ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2742S01QXTMA1
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:6V~140V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06NTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2231S12TXUMA1
上升时间:35ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:13V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L02F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06NTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L06F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2230S12TXUMA1
上升时间:35ns
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L02F2XUMA1
上升时间:60ns
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L06F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2230S12TXUMA1
上升时间:35ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06NTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2230S12TXUMA1
上升时间:35ns
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2230S12TXUMA1
上升时间:35ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":4023}
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L06F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L02F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L02F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06NTXUMA1
上升时间:60ns
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2230S12TXUMA1
上升时间:35ns
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":80,"22+":8100}
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04N06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:10V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":4023}
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L06F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED003L02F2XUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2231S12TXUMA1
上升时间:35ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:650mA
电源电压:13V~20V
峰值灌电流:350mA
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6EDL04I06PTXUMA1
上升时间:60ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:26ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
电源电压:13V~17.5V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: