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品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF8275FXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA2
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA2
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF9275FXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8124GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDS8265HXUMA2
上升时间：6.5ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF8275FXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"18+"：192，"21+"：1635，"22+"：8000，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：2660}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA2
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8124GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7235KXUMA1
上升时间：6.5ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7235KXUMA1
上升时间：6.5ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8024G3CXTMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7235KXUMA1
上升时间：6.5ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDS9265HXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDS8265HXUMA2
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275FXUMA2
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8124GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8024GXUMA1
上升时间：45ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF8275FXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275KXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF8275FXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDS9265HXUMA1
上升时间：6.5ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDS9265HXUMA1
上升时间：6.5ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDS9265HXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDL8024G3CXTMA1
上升时间：45ns
驱动通道数：2
下降时间：45ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：8V~17V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7235KXUMA1
上升时间：6.5ns
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：2205}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDF7275FXUMA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
