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规格型号(MPN)：AUIR3241STR

上升时间：6µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：6µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：3V~36V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2117STRPBF

上升时间：75ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED2410EMXUMA1

上升时间：7µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.4A

电源电压：3V~58V

峰值灌电流：175mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED4820EMXUMA2

上升时间：3µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.3A

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峰值灌电流：300mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIR3242STRXUMA1

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负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

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峰值灌电流：350mA

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIR3242STRXUMA1

上升时间：6µs

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：3V~36V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2125STRPBF

上升时间：43ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：0V~18V

峰值灌电流：1.6A

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2127STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：1EDN7550UXTSA1

上升时间：6.5ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：8A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2125SPBF

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.3A

电源电压：0V~18V

峰值灌电流：1.6A

驱动配置：高端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：1EDN7550UXTSA1

上升时间：6.5ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：8A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIR3241STR

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ECCN：EAR99

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规格型号(MPN)：AUIRS21271STR

上升时间：80ns

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21271STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：9V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2118STRPBF

上升时间：75ns

驱动通道数：1

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高端

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117SPBF

上升时间：80ns

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2117PBF

上升时间：75ns

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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包装方式：管件

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规格型号(MPN)：1EDN7550UXTSA1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：8A

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驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIR3241STR

上升时间：6µs

驱动通道数：1

下降时间：6µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：3V~36V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2117PBF

上升时间：75ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：高端

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED2410EMXUMA1

上升时间：7µs

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：2µs

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.4A

电源电压：3V~58V

峰值灌电流：175mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

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包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：1EDN7550UXTSA1

上升时间：6.5ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：8A

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生产批次：{"22+"：5000，"23+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIR3240STR

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：1EDN7550BXTSA1

上升时间：6.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：8A

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包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1