采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127PBF
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：IR2127PBF
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：1900，"23+"：269，"24+"：1731}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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规格型号(MPN)：IR2127PBF
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ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：1900，"23+"：269，"24+"：1731}
包装规格(MPQ)：50psc
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
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分类：门极驱动器
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峰值灌电流：250mA
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包装方式：管件
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行业应用：其他
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峰值灌电流：250mA
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电源电压：12V~20V
包装方式：管件
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
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