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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112STRPBF

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

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规格型号(MPN)：IR2127SPBF

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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包装方式：管件

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销售单位：个

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2128STRPBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2111PBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127STRPBF

上升时间：80ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21271PBF

上升时间：80ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21271STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：高端

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生产批次：{"19+"：2800，"22+"：2828}

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规格型号(MPN)：IR21271PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2111STRPBF

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驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：高端

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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生产批次：{"20+"：315，"22+"：3119，"9999"：27}

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上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

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包装方式：管件

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