生产批次：{"19+"：289，"21+"：7298}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233PBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2336DSTRPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2235JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}

包装规格(MPQ)：27psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233JPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136STRPBF

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：5，"19+"：55，"23+"：12241}

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIRS2336STR

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2336DSTRPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132SPBF

上升时间：80ns

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：17500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136JTRPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：677}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233STRPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：4532}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136SPBF

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2334MTRPBF

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2334STRPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132JTRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136JTRPBF

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIRS2336STR

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2233STRPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1207}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

上升时间：35ns

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2133STRPBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

工作温度：125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136SPBF

上升时间：125ns

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"9999"：470}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2235PBF

上升时间：90ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：40ns

负载类型：MOSFET；IGBT

峰值拉电流：250mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：6ED2230S12TXUMA1

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：650mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：350mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2136SPBF

上升时间：125ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1721}

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1