采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：289，"21+"：7298}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233PBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2235JPBF
上升时间：90ns
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驱动通道数：6
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工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}
包装规格(MPQ)：27psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233JPBF
上升时间：90ns
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驱动通道数：6
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工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132SPBF
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驱动通道数：6
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：677}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
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生产批次：{"18+"：4532}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132JTRPBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
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库存：
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233STRPBF
上升时间：90ns
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工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
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规格型号(MPN)：IR2132STRPBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2133STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
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库存：
生产批次：{"22+"：1721}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
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包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：27psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233JPBF
上升时间：90ns
驱动通道数：6
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工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：27psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233JPBF
上升时间：90ns
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：337，"20+"：215，"9999"：41，"MI+"：1134}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130JPBF
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ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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生产批次：{"14+"：14，"17+"：4，"21+"：821，"22+"：2141}
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规格型号(MPN)：IR2132JPBF
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ECCN：EAR99
驱动通道数：6
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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驱动配置：半桥
包装方式：管件
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包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2135JTRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：506}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233SPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233JTRPBF
上升时间：90ns
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2130STRPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：1207}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2135JTRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2132STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
