品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14A1201-E/SN
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:12A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:12A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4427VOA
上升时间:19ns
驱动通道数:2
下降时间:19ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14700-E/SN
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14A0902-E/SN
上升时间:22ns
驱动通道数:1
下降时间:22ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4224YMME
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14A0304-E/MS
上升时间:12ns
驱动通道数:2
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4224YMME
上升时间:15ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1406-E/SN
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14A0902-E/SN
上升时间:22ns
驱动通道数:1
下降时间:22ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:9A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14A1201-E/SN
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:12A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:12A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4426VOA
上升时间:19ns
驱动通道数:2
下降时间:19ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4126YMME
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4427VOA
上升时间:19ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:19ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1406-E/SN
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1406-E/SN
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14A1202-E/SN
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:12A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:12A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4426VOA
上升时间:19ns
驱动通道数:2
下降时间:19ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4426AVOA
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4126YMME
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:18ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~20V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4427AVOA
上升时间:25ns
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4427VOA
上升时间:19ns
驱动通道数:2
下降时间:19ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14628-E/SN
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4428VOA
上升时间:19ns
驱动通道数:2
下降时间:19ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14A0302-E/SN
上升时间:13ns
驱动通道数:1
下降时间:12ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1406-E/SN
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC44F18YMME
上升时间:10ns
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~13.2V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14628-E/SN
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP1406-E/SN
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4427AVOA
上升时间:25ns
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP14700-E/SN
上升时间:10ns
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: