销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4431VOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4432VOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4431EOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4431VOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4432EOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420VOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420VOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420VMF

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NEOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1410EOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4432VPA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NEOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1410EOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EPA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429VOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4432EOA713

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429EPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429EPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EPA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420VOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4431VOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~30V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420VOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429EOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411EOA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1