采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
ECCN：EAR99
时钟频率：1MHz
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
时钟频率：1MHz
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
ECCN：EAR99
时钟频率：1MHz
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
时钟频率：1MHz
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
时钟频率：1MHz
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：16-QFN
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
ECCN：EAR99
时钟频率：1MHz
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1821K6-G
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1213K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1822K6-G
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1213K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1210K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1210K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1821K6-G
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1211LG-G
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1822K6-G
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1810K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~12V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1822K6-G
上升时间：7ns
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
时钟频率：1MHz
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1811K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~12V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1810K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~12V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1811K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~12V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1811K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~12V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1821K6-G
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
ECCN：EAR99
时钟频率：1MHz
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1822K6-G
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1821K6-G
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：7ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：5V~10V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1210K6-G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD1211LG-G
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-20℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~13V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：存储芯片
行业应用：其它
销售单位：个
工作电压：1.7V~3.6V
存储容量：4Kbit
工作温度：-20℃~125℃
时钟频率：1MHz
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
