品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7393AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV57084DR2G
上升时间:10ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7.5A
峰值灌电流:7.5A€7A€7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57084DR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7393AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN73711MX
上升时间:25ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":14556}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57084DR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7171MX-F085
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7393AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7371MX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":2500,"05+":337500,"MI+":2375}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5355DR2
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":827}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57001FDWR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:7.8A
电源电压:24V
峰值灌电流:7.1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"08+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5355DR2G
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":2535}
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7393AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57084DR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57085DR2G
上升时间:10ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"12+":8813,"13+":12000,"14+":3000,"16+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5359AMNR2G
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:10V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN73912AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:12V~20V
峰值灌电流:2A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:剪切带(CT)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7371MX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:4A
驱动配置:高端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57085DR2G
上升时间:10ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7393AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN73912AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:12V~20V
峰值灌电流:2A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:剪切带(CT)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN73912AMX
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:12V~20V
峰值灌电流:2A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:剪切带(CT)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57084DR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57084DR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57084DR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57085DR2G
上升时间:10ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7A
峰值灌电流:7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":769,"23+":1048}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV57084DR2G
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:7.5A
峰值灌电流:7.5A€7A€7A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":39000,"13+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5359AMNTBG
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
电源电压:10V~13.2V
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FAD8253MX
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:3.4A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: