采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3181TMX
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：2A
电源电压：25V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51705MNTWG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51705MNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV57080CDR2G
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.5A
电源电压：20V
峰值灌电流：6.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5701ADR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV57080CDR2G
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.5A
电源电压：20V
峰值灌电流：6.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3180TSX
上升时间：19ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：5V~18V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51705MNTWG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000，"22+"：1150，"23+"：1472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000，"22+"：1150，"23+"：1472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51705MNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51705MNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3180TSX
上升时间：19ns
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：5V~18V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703BDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
