包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6208BIRZ-T

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6622CBZ-T

上升时间：26ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：6.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2100IBZT

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ICL7667CBAZA-T

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~15V

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6208CRZ-T

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-10℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2211FRTZ-T7A

上升时间：435ns

驱动通道数：2

下降时间：365ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：6V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6622CRZ-T

上升时间：26ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：6.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7155CSZ-T7

上升时间：14.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：3.5A

电源电压：4.5V~16.5V

峰值灌电流：3.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：980psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2100EIBZ

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：35600，"9999"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6609ACRZ

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：0℃~+125℃

负载类型：MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7202CSZ-T7

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2147}

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6615IRZ

上升时间：13ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：6.8V~13.2V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7222CSZ-T7

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7212CSZ-T7

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7155CSZ-T7

上升时间：14.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：3.5A

电源电压：4.5V~16.5V

峰值灌电流：3.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：980psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2101IBZ

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：776psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7242CSZ

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL78420AVEZ-T7A

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7202CSZ-T7

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：970psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7212CSZ

上升时间：7.5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：970psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7252CSZ

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7202CSZ-T7

上升时间：7.5ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~15V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：490psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL2111ARTZ

上升时间：9ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7.5ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2210FRTZ-T7A

上升时间：435ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：365ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：6V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：EL7242CSZ-T7

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：2A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：4900}

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6615AIRZ

上升时间：13ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：6.8V~13.2V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-55℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL6612CRZ-T

上升时间：26ns

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：0℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：1.25A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1