采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD16950EFV-CE2
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：3V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD16950EFV-CE2
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：3V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS2101F-E2
上升时间：60ns
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：130mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：60mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.9A
电源电压：10V~24V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD16950EFV-CE2
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：3V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD16952EFV-ME2
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET
电源电压：3V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
