销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BS2101F-E2

上升时间：60ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：130mA

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：60mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BS2101F-E2

上升时间：60ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：130mA

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：60mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BS2101F-E2

上升时间：60ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：130mA

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：60mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BS2101F-E2

上升时间：60ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：130mA

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：60mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BS2101F-E2

上升时间：60ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：130mA

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：60mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2310G-TR

上升时间：10ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BS2132F-E2

上升时间：125ns

驱动通道数：3

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

电源电压：11.5V~20V

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2310G-TR

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BS2132F-E2

上升时间：125ns

驱动通道数：3

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

电源电压：11.5V~20V

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2310G-TR

上升时间：10ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60213FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2310G-TR

上升时间：10ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2310G-TR

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2年内

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2310G-TR

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BM60212FV-CE2

上升时间：50ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.9A

电源电压：10V~24V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1