品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
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库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
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规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
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峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
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库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
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销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
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工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
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峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
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规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
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工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
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销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
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峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
上升时间:50ns
驱动通道数:2
下降时间:50ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.9A
电源电压:10V~24V
峰值灌电流:4.5A
驱动配置:高压侧和低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
驱动配置:高压侧和低压侧
下降时间:50ns
电源电压:10V~24V
峰值拉电流:3.9A
峰值灌电流:4.5A
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
上升时间:50ns
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
驱动配置:高压侧和低压侧
下降时间:50ns
电源电压:10V~24V
峰值拉电流:3.9A
峰值灌电流:4.5A
包装方式:卷带(TR)
上升时间:50ns
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):BM60212FV-CE2
驱动配置:高压侧和低压侧
下降时间:50ns
电源电压:10V~24V
峰值拉电流:3.9A
峰值灌电流:4.5A
包装方式:卷带(TR)
上升时间:50ns
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: