包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):L6571BD
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:270mA
电源电压:10V~16.6V
峰值灌电流:170mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):L6571BD
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:270mA
电源电压:10V~16.6V
峰值灌电流:170mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):L6571BD
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:270mA
电源电压:10V~16.6V
峰值灌电流:170mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):L6571BD
驱动通道数:2
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:270mA
电源电压:10V~16.6V
峰值灌电流:170mA
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):L6571BD
峰值拉电流:270mA
峰值灌电流:170mA
包装方式:管件
工作温度:-40℃~150℃
驱动配置:半桥
电源电压:10V~16.6V
驱动通道数:2
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: