销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8851D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8841D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834MTR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8841D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8841D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8851D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8841D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834TR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8841D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310IDT
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8841D
上升时间:20ns
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:10V~18V
峰值灌电流:800mA
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):PM8834MTR
上升时间:45ns
驱动通道数:2
下降时间:35ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:5V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD310ID
驱动通道数:3
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
电源电压:4V~16V
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: