采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6388ED
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8834TR
上升时间：45ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6385ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6571BD
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：270mA
电源电压：10V~16.6V
峰值灌电流：170mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6395D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6571BD013TR
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：270mA
电源电压：10V~16.6V
峰值灌电流：170mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6571BD013TR
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：270mA
电源电压：10V~16.6V
峰值灌电流：170mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PM8834TR
上升时间：45ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6571BD013TR
驱动通道数：2
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：270mA
电源电压：10V~16.6V
峰值灌电流：170mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ED013TR
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6395DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6390DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：12.5V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ED013TR
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6390DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：12.5V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ADTR
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6385ED
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6391DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：12.5V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ED013TR
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6390DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：12.5V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6395DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6390DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：12.5V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6395D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386AD
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6398D
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6398DTR
上升时间：75ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：430mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6386ED013TR
上升时间：50ns
驱动通道数：2
下降时间：30ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
