包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TD350E
上升时间:130ns
驱动通道数:1
下降时间:75ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:12V~26V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.3A
电源电压:12V~26V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高端
包装方式:管件
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峰值灌电流:1.5A
驱动配置:高端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
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