采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TD351IDT
上升时间：100ns
驱动通道数：1
下降时间：100ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.7A
电源电压：12V~26V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
