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销售单位：个
规格型号(MPN)：L6491DTR
上升时间：15ns
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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品牌：ST
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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